Инвентаризация:5789

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Ta), 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 62mOhm @ 4.5A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta)
  • Барьерный тип 2.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI3333-8 (Type UX)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 4.5 nC @ 10 V
  • 228 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 1070

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Инвентаризация: 33406

Top