Инвентаризация:34906

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta), 16A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 31W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 7.3 nC @ 10 V
  • 402 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN

Инвентаризация: 105460

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP

Инвентаризация: 2434

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

Инвентаризация: 2102

Top