Инвентаризация:106960

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Ta), 12.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 66mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
  • Барьерный тип 2.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 12 nC @ 10 V
  • 415 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Инвентаризация: 43731

MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3

Инвентаризация: 33966

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Инвентаризация: 33406

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 2243

Top