- Модель продукта DMN10H099SFG-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 3.3A, 10V
- Материал феррулы 980mW (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 25.2 nC @ 10 V
- 1172 pF @ 50 V