Технические детали

• Тип монтажа SP3
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 500W
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 113A (Tc)
• Глубина 3800pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 80A, 20V
• Тип симистора 197nC @ 20V
• Барьерный тип 2.2V @ 4mA (Typ)
• Максимальное переменное напряжение SP3