Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.1W
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 15A
• Глубина 1400pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 8A, 10V
• Тип симистора 18nC @ 10V
• Барьерный тип 3.6V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC