Инвентаризация:215171

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta), 23A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 9A, 10V
  • Материал феррулы 4.1W (Ta), 28W (Tc)
  • Барьерный тип 2.6V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 25 nC @ 10 V
  • 1170 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 5.5A/17A 8DFN

Инвентаризация: 39038

MOSFET N CH 100V 15A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN

Инвентаризация: 105460

MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP

Инвентаризация: 7312

MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP

Инвентаризация: 6984

IC TRANSLATOR UNIDIR 14WQFN

Инвентаризация: 3350

Top