Инвентаризация:40538

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A (Ta), 17A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 54mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 4.1W (Ta), 39W (Tc)
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 20 nC @ 10 V
  • 675 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A 4SOPA

Инвентаризация: 31037

MOSFET N-CH 100V 9A/23A 8DFN

Инвентаризация: 213671

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

Инвентаризация: 1773

Top