Инвентаризация:8812

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 18A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 23mOhm @ 7A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 41W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 22 nC @ 10 V
  • 1330 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN

Инвентаризация: 11783

MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252

Инвентаризация: 34869

MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33

Инвентаризация: 5137

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Инвентаризация: 33406

Top