Инвентаризация:2955

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 27A
  • Глубина 1250pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 7A , 8V
  • Тип симистора 8.2nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSON (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON

Инвентаризация: 18196

MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Инвентаризация: 52297

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Инвентаризация: 7803

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON

Инвентаризация: 242

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON

Инвентаризация: 3740

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

Инвентаризация: 1107

Top