- Модель продукта CSD85312Q3E
- Бренд Texas Instruments
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:9303
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.5W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 39A
- Глубина 2390pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 12.4mOhm @ 10A, 8V
- Тип симистора 15.2nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate, 5V Drive
- Барьерный тип 1.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-VSON (3.3x3.3)