Инвентаризация:19696

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 44A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10.3mOhm @ 10A, 8V
  • Материал феррулы 2.7W (Ta)
  • Барьерный тип 1.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 3V, 8V
  • Шаг Количество +10V, -8V
  • 30 V
  • 5.1 nC @ 4.5 V
  • 700 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON

Инвентаризация: 3396

MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON

Инвентаризация: 3535

MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Инвентаризация: 52297

BJT SOT23 40V NPN 0.35W 150C

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 15

TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V SOT23

Инвентаризация: 21

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Инвентаризация: 55

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN

Инвентаризация: 22

Top