- Модель продукта FDMD86100
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:2607
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.2W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A
- Глубина 2060pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 10.5mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 30nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-Power 5x6
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Инвентаризация: 1455
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
Инвентаризация: 2007
MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
Инвентаризация: 115
MOSFET 2N-CH 40V 41A PWRPAIR
Инвентаризация: 0
FM+ IC BUS AND SMBUS VOLTAGE TRA
Инвентаризация: 4046
