- Модель продукта FDMS8090
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:3507
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.2W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A
- Глубина 1800pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 27nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-MLP (5x6), Power56
Сопутствующие товары
MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Инвентаризация: 17531
MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Инвентаризация: 6189
MOSFET N/P-CH 150V 6.2A 8MLP
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Инвентаризация: 11340
