Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.3W
  • Внутренняя отделка контактов 150V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.2A, 1A
  • Глубина 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6.2A, 10V
  • Тип симистора 30nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (5x6), Power56

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56

Инвентаризация: 2007

Top