Инвентаризация:12840

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
  • Глубина 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 27nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON

Инвентаризация: 41676

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56

Инвентаризация: 2007

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

Инвентаризация: 69033

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 20202

Top