Инвентаризация:148203

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 8A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 16 nC @ 10 V
  • 760 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

Инвентаризация: 19946

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Инвентаризация: 32386

MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC

Инвентаризация: 17369

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 1060579

MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN

Инвентаризация: 99373

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO

Инвентаризация: 6761

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

Инвентаризация: 46929

Top