Инвентаризация:33886

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 9.7A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 32 nC @ 10 V
  • 1900 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 146703

MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Инвентаризация: 412644

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

Инвентаризация: 109358

MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 193571

MOSFET P-CH 30V 20A 8SO

Инвентаризация: 15813

Top