Инвентаризация:21446

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 12A, 20V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 20V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 39 nC @ 10 V
  • 2600 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

Инвентаризация: 13123

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Инвентаризация: 122831

5V, LINEAR HALL-EFFECT CURRENT S

Инвентаризация: 3494

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Инвентаризация: 34062

Top