- Модель продукта SI4435FDY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:35562
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 9A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 42 nC @ 10 V
- 1500 pF @ 15 V