- Модель продукта SI4599DY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:11737
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3W, 3.1W
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A, 5.8A
- Глубина 640pF @ 20V
- Сопротивление при 25°C 35.5mOhm @ 5A, 10V
- Тип симистора 20nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO
Инвентаризация: 21201
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Инвентаризация: 80304
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Инвентаризация: 6648
