- Модель продукта SI4559ADY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.1W, 3.4W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.3A, 3.9A
- Глубина 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 58mOhm @ 4.3A, 10V
- Тип симистора 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
Инвентаризация: 52890
IC BINARY COUNTER 12-BIT 16SOIC
Инвентаризация: 3152
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
Инвентаризация: 2381
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Инвентаризация: 6279
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Инвентаризация: 10237
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Инвентаризация: 754
