Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.25W
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 3.6A, 2.6A
• Глубина 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 4.5A, 10V
• Тип симистора 20.4nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
• Максимальное переменное напряжение 8-SO