Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.2W
• Внутренняя отделка контактов 40V
• Толщина внешнего контактного покрытия 8.6A, 6.2A
• Глубина 1810pF @ 20V
• Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 3A, 10V
• Тип симистора 40nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO