- Модель продукта TP65H070G4QS-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание 650 V 29 A GAN FET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 16A, 10V
- Материал феррулы 96W (Tc)
- Барьерный тип 4.8V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение TOLL
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 8.4 nC @ 10 V
- 600 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Инвентаризация: 2474
GANFET N-CH
Инвентаризация: 2923
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Инвентаризация: 0
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 967
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Инвентаризация: 2686
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Инвентаризация: 2981
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
