- Модель продукта TP65H300G4LSGB-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4479
Технические детали
- Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 312mOhm @ 6.5A, 6V
- Материал феррулы 21W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (8x8)
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество ±12V
- 650 V
- 8.8 nC @ 10 V
- 730 pF @ 400 V