Инвентаризация:4479

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 312mOhm @ 6.5A, 6V
  • Материал феррулы 21W (Tc)
  • Барьерный тип 2.8V @ 500µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (8x8)
  • Длина ремня 6V
  • Шаг Количество ±12V
  • 650 V
  • 8.8 nC @ 10 V
  • 730 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Инвентаризация: 2981

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Инвентаризация: 1076

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Инвентаризация: 3791

GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6

Инвентаризация: 3942

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

Инвентаризация: 6507

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

Инвентаризация: 2815

GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

Инвентаризация: 3926

Top