- Модель продукта IMBG120R026M2HXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 75A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
- Материал феррулы 335W (Tc)
- Барьерный тип 5.1V @ 8.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -10V
- 1200 V
- 60 nC @ 18 V
- 1990 pF @ 800 V