Инвентаризация:2990

Технические детали

  • Тип монтажа 14-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внутренняя отделка контактов 750V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tj)
  • Глубина 53.5pF @ 400V
  • Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 2A, 6V
  • Тип симистора 1.9nC @ 6V
  • Барьерный тип 1.75V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение 14-PQFN (6x8)

Сопутствующие товары


TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN

Инвентаризация: 6403

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

GANFET 2N-CH 650V 30QFN

Инвентаризация: 57

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET 650V 13A 14QFN

Инвентаризация: 1479

Top