Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A, 3.5A
  • Глубина 650pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 4.5A, 10V
  • Тип симистора 18nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 17578

MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 80304

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

Инвентаризация: 9000

Top