- Модель продукта SQJ416EP-T1_BE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 27A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 45W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 20 nC @ 10 V
- 800 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Инвентаризация: 1239
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Инвентаризация: 54410
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Инвентаризация: 11695
