- Модель продукта G33N03D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 30A 8DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 13W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Tc)
- Глубина 837pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 16A, 10V
- Тип симистора 16nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3x3)
Сопутствующие товары
RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT
Инвентаризация: 0
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Инвентаризация: 11060
Magnehelic Gage Range .50-0-.50I
Инвентаризация: 1
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 9197
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 270000
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Инвентаризация: 15891
MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Инвентаризация: 500000
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Инвентаризация: 7402
MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 100000
