- Модель продукта 2301
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
- Материал феррулы 1W (Tc)
- Барьерный тип 900mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±10V
Сопутствующие товары
RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT
Инвентаризация: 0
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Инвентаризация: 11060
Magnehelic Gage Range .50-0-.50I
Инвентаризация: 1
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 5104
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Инвентаризация: 15891
MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Инвентаризация: 500000
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Инвентаризация: 133208
MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Инвентаризация: 240000
