- Модель продукта 3401
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 1.2W (Tc)
- Барьерный тип 1.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 30 V
- 9.5 nC @ 4.5 V
- 950 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT
Инвентаризация: 0
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Инвентаризация: 11060
Magnehelic Gage Range .50-0-.50I
Инвентаризация: 1
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Инвентаризация: 4590
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 9197
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 270000
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Инвентаризация: 15891
MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Инвентаризация: 500000
