- Модель продукта G12P03D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 30W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 24.5 nC @ 10 V
- 1253 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT
Инвентаризация: 0
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Инвентаризация: 11060
Magnehelic Gage Range .50-0-.50I
Инвентаризация: 1
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Инвентаризация: 300000
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 9197
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Инвентаризация: 270000
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Инвентаризация: 15891
MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Инвентаризация: 500000
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Инвентаризация: 7402
MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 100000
