Инвентаризация:1523

Технические детали

  • Тип монтажа SP6
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1250W
  • Внутренняя отделка контактов 200V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 372A
  • Глубина 28900pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 186A, 10V
  • Тип симистора 560nC @ 10V
  • Барьерный тип 5V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение SP6

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Инвентаризация: 6

MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC

Инвентаризация: 2779

MOSFET N-CH 75V 400A TO247AD

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 200V 280A LP8

Инвентаризация: 3

MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X

Инвентаризация: 10

MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE

Инвентаризация: 0

Top