Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 125°C (Tc)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 341W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 200V
• Толщина внешнего контактного покрытия 108A (Tc)
• Глубина 10700pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 9.7mOhm @ 81A, 10V
• Тип симистора 161nC @ 10V
• Барьерный тип 5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение SP3X