Инвентаризация:1506

Технические детали

  • Тип монтажа SP4
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 694W
  • Внутренняя отделка контактов 500V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A
  • Глубина 11200pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 45A, 10V
  • Тип симистора 246nC @ 10V
  • Барьерный тип 5V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение SP4

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Инвентаризация: 23

Top