Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа SP6
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1250W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 495A
  • Глубина 40000pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 200A, 10V
  • Тип симистора 1360nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение SP6

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Инвентаризация: 23

Top