- Модель продукта RS6N120BHTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2853
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.9mOhm @ 60A, 6V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 53 nC @ 10 V
- 3420 pF @ 40 V