- Модель продукта RS6G100BGTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3923
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.4mOhm @ 90A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 59W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 24 nC @ 10 V
- 1510 pF @ 20 V