- Модель продукта RS6L090BGTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3586
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.7mOhm @ 90A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 73W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 28 nC @ 10 V
- 1950 pF @ 30 V