- Модель продукта RH6L040BGTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:24787
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.1mOhm @ 40A, 10V
- Материал феррулы 59W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 18.8 nC @ 10 V
- 1320 pF @ 30 V