- Модель продукта G200P04D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 30W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 54 nC @ 10 V
- 2662 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Инвентаризация: 257838
P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Инвентаризация: 5000
MOSFET P-CH 30V 30A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 5000
MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Инвентаризация: 2033
MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Инвентаризация: 10000
P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 1601
N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Инвентаризация: 4890
MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Инвентаризация: 10677
