- Модель продукта GT019N04D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:51500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.8mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 63W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 95 nC @ 10 V
- 2840 pF @ 20 V