Инвентаризация:6365

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
  • Материал феррулы 1.4W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 50 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

Инвентаризация: 6091

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Инвентаризация: 190052

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Инвентаризация: 27281

MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO

Инвентаризация: 27638

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

Инвентаризация: 25769

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 56729

Top