- Модель продукта FDS6680A
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 23 nC @ 5 V
- 1620 pF @ 15 V