Инвентаризация:191552

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 12.5A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество +30V, -20V
  • 40 V
  • 63 nC @ 10 V
  • 2659 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

Инвентаризация: 761448

Top