Инвентаризация:27269

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 9.1A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 50 nC @ 10 V
  • 1350 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Инвентаризация: 20124

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Инвентаризация: 109802

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP

Инвентаризация: 37438

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

Инвентаризация: 19315

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Инвентаризация: 34062

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Инвентаризация: 18478

Top