- Модель продукта NTMFS3D2N10MDT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2975
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Ta), 142A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 2.8W (Ta), 155W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 316µA
- Максимальное переменное напряжение 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 71.3 nC @ 10 V
- 3900 pF @ 50 V