- Модель продукта NTMFS4D2N10MDT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2871
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 16.4A (Ta), 113A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.3mOhm @ 46A, 10V
- Материал феррулы 2.8W (Ta), 132W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 239µA
- Максимальное переменное напряжение 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 60 nC @ 10 V
- 3100 pF @ 50 V